理論/問18(a)

図 $1$ は、飽和領域で動作する接合形 FET を用いた増幅回路を示し、図中の $v_i$ 並びに $v_o$ はそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧 [V] を表す。また、図 $2$ は、その増幅回路で使用する FET のゲート-ソース間電圧 $V_{gs}$ [V] に対するドレーン電流 $I_{d}$ [mA] の特性を示している。抵抗 $R_{G} = 1$ $M\Omega$、 $R_{D} = 5$ $k\Omega$、 $R_{L} = 2.5$ $k\Omega$、直流電源電圧 $V_{DD} = 20$ V とするとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

(a) FET の動作点が図 $2$ の点 P となる抵抗 $R_{S}$ の値 [$k\Omega$] として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。