出典
図 111 は、飽和領域で動作する接合形 FET を用いた増幅回路を示し、図中の viv_ivi 並びに vov_ovo はそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧 [V] を表す。また、図 222 は、その増幅回路で使用する FET のゲート-ソース間電圧 VgsV_{gs}Vgs [V] に対するドレーン電流 IdI_{d}Id [mA] の特性を示している。抵抗 RG=1R_{G} = 1RG=1 MΩM\OmegaMΩ、 RD=5R_{D} = 5RD=5 kΩk\OmegakΩ、 RL=2.5R_{L} = 2.5RL=2.5 kΩk\OmegakΩ、直流電源電圧 VDD=20V_{DD} = 20VDD=20 V とするとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。
(b) 図 222 の特性曲線の点 P における接線の傾きを読むことで、FET の相互コンダクタンスが gm=6g_m = 6gm=6 mS であるとわかる。この値を用いて、増幅回路の小信号交流等価回路をかくと図 333 となる。ここで、コンデンサ C1C_1C1、 C2C_2C2、 CSC_{S}CS のインピーダンスが使用する周波数で十分に小さいときを考えており、FET の出力インピーダンスが RDR_{D}RD [kΩk\OmegakΩ] や RLR_{L}RL [kΩk\OmegakΩ] より十分大きいとしている。 この増幅回路の電圧増幅度 Av=∣vovi∣A_v = \left|\frac{v_o}{v_i}\right|Av=vivo の値として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
※ 下線部訂正 Id→idI_{d} \rightarrow i_{d}Id→id